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杰马里·莱恩（Jean-Marie Lehn）
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黎念之（Norman N.Li）
黎念之（Norman N.Li）
化学工程学家。美国国籍。生于中国上海，原籍湖南湘潭。1954年获台湾大学化学工程学士学位。1959年获美国密执安州立韦恩大学硕士学位，1963年获史蒂文斯理工学院博士学位。曾先后在美国石油、化学、化工方面著名公司（Exxon、UOP、AlliedSignal等）的大型研究所担任所长并主持研究开发工作。1995年迄今任北美膜科学学会会长和恩理（NL）化学技术公司董事长。美国国家工程院院士（1990）...
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马龙·刘易斯 （Marlon R. Lewis）
马龙·刘易斯 （Marlon R. Lewis）
　　马龙•刘易斯（MarlonR.Lewis），美国国籍，海洋学家。1952年6月出生于加拿大。现任加拿大达尔豪斯大学教授。2018年当选为加拿大皇家学会会员，2021年当选为中国科学院外籍院士。 　　刘易斯教授从科学研究需求入手，研制出全球第一台自由落体式海洋水色光学剖面仪，带领团队研发系列多光谱传感器、海洋卫星光学浮标等开创性技术手段，建立了关键参数的全球基准体系，据此将可比参数追溯...
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林海帆（Haifan Lin）
林海帆（Haifan Lin）
　　林海帆（HaifanLin），美国国籍，生物学家。1961年3月出生于中国浙江省温州市。1982年毕业于复旦大学生物化学专业，1990年获得美国康奈尔大学基因与发育学专业博士学位。美国耶鲁大学干细胞研究中心创始主任、EugeneHiggin讲席教授，医学院细胞生物学系、遗传系、妇产科系与皮肤科系教授。2018年当选为美国国家科学院院士、美国艺术与科学院院士，2020年当选为国际干细胞研究学会（...
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查尔斯·李波（Charles M. Lieber）
查尔斯·李波（Charles M. Lieber）
美国国籍，物理化学家。1959年4月生于美国费城。1985年获得美国斯坦福大学博士学位。2002年当选为美国国家艺术与科学院院士，2004年当选为美国国家科学院院士。 李波教授的研究领域主要是一维纳米材料的合成、性能及应用。他在国际上最早开始纳米线的研究，开创性的建立了多种合成及控制一维纳米结构的方法。在功能纳米材料、纳米电子及光电器件、纳米生物技术等研究领域都做出了原创性的杰出贡献，其...
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安德森·林奎斯特（Anders Lindquist）
安德森·林奎斯特（Anders Lindquist）
瑞典国籍，控制科学家。1942年11月生于瑞典隆德。1972年获得瑞典皇家理工学院博士学位。曾任瑞典皇家理工学院数学系主任。 安德森？林奎斯特的研究工作涉及系统与控制领域的许多基础理论，包括系统辨识、信号处理与滤波、随机与鲁棒控制等。他解决了该领域内一些具有普适性、关键性的基础理论问题，取得了重大的原创性理论成果，为理解和解决实际工程问题奠定了基础，产生了广泛影响。他的主要代表性成果如下：&nbs...
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雷干城（Steven G. Louie）
雷干城（Steven G. Louie）
　　雷干城（StevenG.Louie），美国国籍，凝聚态物理学与材料科学家。1949年3月出生于中国广东。1972年获得美国加州大学伯克利分校博士学位。现任美国加州大学伯克利分校物理系讲座教授、劳伦斯伯克利国家实验室资深科学家、美国能源部能源材料激发态现象计算研究中心（C2SEPEM）中心主任。2005年当选为美国国家科学院院士，2009年当选美国艺术与科学学院院士，2021年当选为中国科学院外...
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刘必治（Bede Liu）
刘必治（Bede Liu）
美国国籍，信息科学家。1934年9月生于上海。1959年获得美国纽约大学博士学位。2002年当选为美国工程院院士，2006年当选为台湾“中央研究院”院士。2011年当选为中国科学院外籍院士。刘必治是国际公认的数字信号处理领域的先驱者。他持续性地提出具有里程碑意义的理论创新，极大地促进了数字产品的应用和产业化，分别于1997年和2000年获得IEEE信号处理协会和电路与系统协会的协会最高奖。他提出基...
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逯高清（Gaoqing (Max) Lu）
逯高清（Gaoqing (Max) Lu）
澳大利亚国籍，纳米材料科学家。1963年11月生于吉林桃安。1983年和1986年在东北工学院（现东北大学）获得学士和硕士学位，1991年获得澳大利亚昆士兰大学博士学位。现任英国萨里大学校长。2002年当选为澳大利亚工程院院士，2013年当选为澳大利亚科学院院士，2016年当选为发展中国家科学院院士，2019年当选为英国皇家工程院院士。 逯高清长期从事功能纳米材料的制备及其在能源、环境和生物医学等...
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马佐平（Tso - Ping Ma）
马佐平（Tso - Ping Ma）
美国国籍，微纳电子科学家。1945年11月生于甘肃省兰州市。1974年获得美国耶鲁大学博士学位。2003年当选为美国工程院院士。马佐平对金属/氧化物/半导体(MOS)的科学认知及技术发展，尤其是在MOS栅介质(包括高介电常数的栅介质）的科技领域做出重要贡献。1970年始他在做超薄（～4纳米）栅氧化硅研究中指出隧穿电流对MOS特性的重要影响，发现了辐射效应或热载子效应所产生的界面陷阱与在界面附近的应...
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