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小泉英明,男,出生于1946年10月,日本工程院院士,日本学术振兴学会会员,日本工程院外事委员会主任。
小泉博士长期从事电子学和成像技术前沿研究,成绩突出,在国际光谱、核磁成像和近红外成像上是国际著名的学者,曾获得诺贝尔奖提名。已注册专利超过163项(日本74项,海外89项),其中50项被日本通产省提名为日本突出专利。
小泉博士多次获得日本的国家级奖励。
2011年当选为中国工程院外籍院士。
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