美国微电子学家。生于中国北京。50年代初毕业于美国伊利诺大学，1954年、1956年分别获美国斯坦福大学硕士、博士学位。1959－1964年先后任美国仙童半导体公司高级成员、物理部主任经理，1964－1968年任美国伊利诺大学教授。1988年至今，担任美国佛罗里达大学电机和电子工程系教授、工学院首席科学家。美国国家工程院院士（1986），台湾“中研院”院士（1998）。

萨支唐教授长期致力于半导体器件和微电子学研究，对发展晶体管、集成电路以及可靠性研究作出了里程碑性质的贡献。他提出了半导体p-n结中电子-空穴复合理论。开发了半导体局域扩散的平面工艺和MOS、CMOS场效应晶体管，并提出MOS晶体管理论模型。发明了探测半导体中微量缺陷的深能级瞬态谱（DLTS）方法。发现了氢在硅中对受主杂质的钝化作用。近期致力于亚微米MOS晶体管的可靠性研究。曾获半导体工业协会（SIA）最高奖（1998）等多项奖励。萨支唐教授是改革开放以后最早与中国进行科技合作与交流的美国科学家之一。曾多次访华，作了20余次系列讲座，先后指导了12名中国研究生，还多次协助在中国举办国际学术研讨会。2000年当选为中国科学院外籍院士。