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王占国
王占国半导体材料物理学家,早期致力于半...
半导体材料物理学家,早期致力于半导体材料光电性质和硅太阳电池辐照效应研究;从1980年起,主要从事半导体深能级物理和光谱物理研究。1938年12月出生于河南省镇平。1962年毕业于南开大学物理系。1995年当选为中国科学院院士。
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半导体材料物理学家,早期致力于半导体材料光电性质和硅太阳电池辐照效应研究;从1980年起,主要从事半导体深能级物理和光谱物理研究。1938年12月出生于河南省镇平。1962年毕业于南开大学物理系。1995年当选为中国科学院院士。

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